JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Tyskt FRAM-bolag tar in 1,1 miljarder kronor

Dresdenbaserade Ferroelectric Memory Company (FMC) har säkrat 100 miljoner euro. Pengarna ska användas för att kommersialisera företagets FRAM-baserade minnen, som uppges kunna mer än fördubbla systemeffektiviteten i datacenter.

FMC bygger sina patenterade minnesceller på ferroelektrisk hafniumoxid, ett material som redan används i moderna CMOS-processer. När hafniumoxid tvingas in i en ortorombisk kristallfas skapas två stabila laddningslägen där omslaget styrs av ett elektriskt fält. 

Minnet är icke-flyktigt, data finns kvar även när strömmen stängs av. 

Till skillnad från konventionella DRAM krävs ingen energikrävande kondensator och inga refresh-cykler. Dessutom är läshastigheten hög och minnet tål de höga temperaturer som krävs av fordonsindustrin men också för industriella tillämpningar och i datacenter.

Enligt FMC kan företagets minnen, som döpts till DRAM+ och 3D CACHE+, mer än fördubbla systemeffektiviteten i framtida AI-datacenter.

Tekniken ska vara skalbar ner till åtminstone 10 nm.

Företaget fyller nu på kassan med 100 miljoner euro för att kommersialisera tekniken. I planerna finns också en fabrik i tyska Magdeburg för tillverkningen.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)