Produkter i elnätet, energilagring, industriell elektrifiering, megawattladdning och datacenter är tänkbara tillämpningar för MOSFET:arna i kiselkarbid på 2300V respektive 3300V. Amerikanska Navitas lyfter fram deras verkningsgrad och livslängd som försäljningsargument.
De nya komponenterna bygger på företagets fjärde generation GeneSiC TAP-teknik (Trench-Assisted Planar). Arkitekturen använder en flerstegs elektrisk fältprofil som kraftigt minskar spänningsstress och förbättrar blockeringsförmågan jämfört med klassiska trench- eller planarstrukturer.
Resultatet är enligt företaget högre robusthet, bättre avalanche-tålighet och lägre RDS(on) vid höga temperaturer.
Navitas har även tagit fram nya kapslingsalternativ. För högsta tillförlitlighet finns MOSFET:arna i SiCPAK G+-moduler i halv- och helbryggskonfigurationer. Modulerna är ingjutna i epoxi i stället för silikon, vilket ska ge över 60 procent längre effektcykellivslängd och tio gånger bättre motstånd mot termiska chocker.
Konstruktionen kompletteras med ett keramiskt substrat i aluminiumnitrid, AIN, för effektiv värmeavledning och nya press-fit-pinnar med dubblerad strömkapacitet.
De rena transistorerna finns även kapslade i TO-247 och TO-263-7 men också okapslade som Known Good Die med omfattande testning och sexsidig optisk inspektion.

