JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. SiC-komponenter på 2300 och 3300 V

Produkter i elnätet, energilagring, industriell elektrifiering, megawattladdning och datacenter är tänkbara tillämpningar för MOSFET:arna i kiselkarbid på 2300V respektive 3300V. Amerikanska Navitas lyfter fram deras verkningsgrad och livslängd som försäljningsargument.

De nya komponenterna bygger på företagets fjärde generation GeneSiC TAP-teknik (Trench-Assisted Planar). Arkitekturen använder en flerstegs elektrisk fältprofil som kraftigt minskar spänningsstress och förbättrar blockeringsförmågan jämfört med klassiska trench- eller planarstrukturer. 

Resultatet är enligt företaget högre robusthet, bättre avalanche-tålighet och lägre RDS(on) vid höga temperaturer.

Navitas har även tagit fram nya kapslingsalternativ. För högsta tillförlitlighet finns MOSFET:arna i SiCPAK G+-moduler i halv- och helbryggskonfigurationer. Modulerna är ingjutna i epoxi i stället för silikon, vilket ska ge över 60 procent längre effektcykellivslängd och tio gånger bättre motstånd mot termiska chocker. 

Konstruktionen kompletteras med ett keramiskt substrat i aluminiumnitrid, AIN, för effektiv värmeavledning och nya press-fit-pinnar med dubblerad strömkapacitet. 

De rena transistorerna finns även kapslade i TO-247 och TO-263-7 men också okapslade som Known Good Die med omfattande testning och sexsidig optisk inspektion.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)