About / Advertise
Nästa år kör Intel igång sin 0,13 μm-process. Den ska ge kretsar med över 100 miljoner transistorer och klara en klockhastighet över en gigahertz.
Den sjunde november meddelade Intel att företagets 0,13 µm-process är klar för kommersiell användning. Redan nästa år ska processen användas för volymproduktion på 200 mm-skivor och 2002 ska den flyttas över till 300 mm-skivor. De större kiselskivorna ska göra produktionen minst 30 procent billigare.
Företaget hävdar att man kommer att bli först med volymproduktion på 0,13 µm men exakt hur snabbt den nya processen ska ersätta företagets 0,18 µm-process uppges dock inte.
Mikroprocessorer tillverkare i 0,13-µm-processen ska bli upp till 65 procent snabbare än i 0,18 µm-processen. Den lägre matningsspänningen på 1,3 V eller lägre sänker effektförbrukningen med 20 procent och en SRAM-cell med sex transistorer blir 2,3 gånger mindre.
Intels nya process ger en längd på gaten som är 70 nm och oxidtjockleken är bara 1,5 nm. Processen har sex metallager av koppar som tillverkas med samma teknik som IBM, så kallad dual damascene. Att även Intel nu byter till koppar beror på att materialet har lägre resistans än aluminium vilket användes tidigare. Ledarna ska tillverkas med ett förhållande mellan tjockleken och bredden på 1,6 till 1 för att de krympande dimensionerna inte skall ge allt för låg resistans.
Intel sänker också dielektricitetskonstanten på det material som omger ledarna. Orsaken är att störningarna mellan ledarna, så kallad signalintegritet, blir ett allt större problem när dimensionerna krymper och ledarna kommer allt närmare varandra. Intel börjar därför dopa kiseldioxiden som omger kopparledarna med fluor vilket ger en dielektricitetskonstant på 3,6.
Intel kommer att släppa mer detaljer om processen på halvledarkonferensen IEDM i december.
Företaget hävdar att man kommer att bli först med volymproduktion på 0,13 µm men exakt hur snabbt den nya processen ska ersätta företagets 0,18 µm-process uppges dock inte.
Mikroprocessorer tillverkare i 0,13-µm-processen ska bli upp till 65 procent snabbare än i 0,18 µm-processen. Den lägre matningsspänningen på 1,3 V eller lägre sänker effektförbrukningen med 20 procent och en SRAM-cell med sex transistorer blir 2,3 gånger mindre.
Intels nya process ger en längd på gaten som är 70 nm och oxidtjockleken är bara 1,5 nm. Processen har sex metallager av koppar som tillverkas med samma teknik som IBM, så kallad dual damascene. Att även Intel nu byter till koppar beror på att materialet har lägre resistans än aluminium vilket användes tidigare. Ledarna ska tillverkas med ett förhållande mellan tjockleken och bredden på 1,6 till 1 för att de krympande dimensionerna inte skall ge allt för låg resistans.
Intel sänker också dielektricitetskonstanten på det material som omger ledarna. Orsaken är att störningarna mellan ledarna, så kallad signalintegritet, blir ett allt större problem när dimensionerna krymper och ledarna kommer allt närmare varandra. Intel börjar därför dopa kiseldioxiden som omger kopparledarna med fluor vilket ger en dielektricitetskonstant på 3,6.
Intel kommer att släppa mer detaljer om processen på halvledarkonferensen IEDM i december.
Per Henricsson
