About / Advertise
DRAM-giganterna Qimonda och Elpida har skrivit en avsiktsförklaring (MoU, memorandum of understanding) som innebär att de två förtagen ska utveckla DRAM i gemensam regi framöver. Tanken är att para ihop företagens arkitekturer till något som är klart utrymmessnålare än dagens DRAM-celler.
När Qimonda och Elpida nu planerar ett samarbete är tanken att gifta samman Qimondas kunskap inom trench-arkitektur, med Elpidas erfarenheter inom stackade kapacitanser. Målet är att introducera en 4F2-cell i 40 nm om två år och därefter gå till 30 nm-processer. Idag använder de allra flesta DRAM-tillverkarna arkitekturer som är baserade på stackade kapacitanser. Qimonda har däremot utvecklat en trenchteknik – eller ”Buried Wordline”-teknik. Genom att gifta samman de två teknikerna tror man sig kunna skapa DRAM-celler som är upp till 30 procent mindre än dagens standardcell, 8F2, och 15 procent mindre än Micron och Samsungs 6F2-cell.
En intressant detalj i det hela är att Qimonda och Elpida skriver under sitt samarbetsavtal bara tre dagar efter det att Micron och Nanya avslöjat detaljer kring sitt nya gemensamma DRAM-bolag, döpt till MeiYA. Micron och Elpida har nämligen båda arkitekturer som bygger på stackade kapacitanser. Qimonda och Nanya har däremot sedan länge ett DRAM-samarbete i Taiwan, vilket innebär att även Nanya har goda kunskaper i trenchtekniken. Så frågan nu är snarast vilken allians som förvaltar kunskapen bäst och lyckas nå ut med en krympt DRAM-cell först.
