Minnet är icke-flyktigt och ska ha funktioner motsvarande ett flashminne i CMOS. Det är gjort av en sandwichkonstruktion med lager av indiumtennoxid, ITO, och zinkoxid, ZnO, och bygger elektriskt på den mer välkända tekniken RRAM, resistive random access memory. Hur stort minnet är framgår inte, vare sig i yta eller antal bitar. Dock uppges det inklusive subsrtrat släppa igenom 81 procent av ljuset, och kunna behålla data i mer än 10 år. Minnet uppges också ha "utmärkta" switchegenskaper under 3 V.
- Vi tror att vårt TRRAM kan vara ett genombrott för framtida genomskinliga elektroniska utrustningar, säger forskningsledaren Jung Won Seo i artikeln.
Enligt forskarna är TRRAM tämligen enkelt att massproducera, och kan finnas kommersiellt tillgängliga inom 3-4 år. De hävdar också att tekniken går att använda på böjbara substrat.
Noterbart är att Nokia för knappt ett år sedan visade upp en serie konceptmobiler på Museum of Modern Art i New York kallade Morph (länk), som var både genomskilniga och flexibla. Då kallades dessa för futuristiska och praktiskt omöjliga. Steget dit kanske ändå inte är så långt.