About / Advertise
Koreanska forskare har utvecklat en metod för att producera genomskinliga minnen, så kallade TRRAM - transparent resistive random access memory, som därtill är böjbara. Metoden kan bana vägen för snudd på helt genomskinliga elektronikprodukter.
Genomskinliga mobiltelefoner och mp3-spelare, eller bildskärmar helt inbäddade i genomskinligt glas eller plast - fantasin sätts onekligen igång av tanken på genomskinliga halvledare. Ett stort steg på vägen dit har tagits av forskare på Korea Advanced Institute of Science and Technology som i en färsk utgåva av Applied Physics Letters (länk) berättar hur de tagit fram ett genomskinligt minne kallat TRRAM, transparent resistive random access memory.Minnet är icke-flyktigt och ska ha funktioner motsvarande ett flashminne i CMOS. Det är gjort av en sandwichkonstruktion med lager av indiumtennoxid, ITO, och zinkoxid, ZnO, och bygger elektriskt på den mer välkända tekniken RRAM, resistive random access memory. Hur stort minnet är framgår inte, vare sig i yta eller antal bitar. Dock uppges det inklusive subsrtrat släppa igenom 81 procent av ljuset, och kunna behålla data i mer än 10 år. Minnet uppges också ha "utmärkta" switchegenskaper under 3 V.
- Vi tror att vårt TRRAM kan vara ett genombrott för framtida genomskinliga elektroniska utrustningar, säger forskningsledaren Jung Won Seo i artikeln.
Enligt forskarna är TRRAM tämligen enkelt att massproducera, och kan finnas kommersiellt tillgängliga inom 3-4 år. De hävdar också att tekniken går att använda på böjbara substrat.
Noterbart är att Nokia för knappt ett år sedan visade upp en serie konceptmobiler på Museum of Modern Art i New York kallade Morph (länk), som var både genomskilniga och flexibla. Då kallades dessa för futuristiska och praktiskt omöjliga. Steget dit kanske ändå inte är så långt.
