About / Advertise
Japanska NEC har utvecklat ett MRAM med vertikalt magnetiskt spinn. Tekniken, som idag presenteras på 2009 Symposium on VLSI Technology i japanska Kyoto, påstås kunna ge mindre minnesceller än dagens SRAM och på sikt även flashminnen. MRAM, eller Magnetoresistive Random Access Memory, är en av flera lovande minnestekniker som siktar på att ersätta flashminnen i exempelvis framtidens datorer. För tre år sedan lanserade Freescale världens första kommersiella MRAM, men utvecklingen går vidare mot mindre och mer energisnåla arkitekturer.
Japanska NEC avslöjar just att man utvecklat en MRAM-cell som använder vertikalt istället för mer traditionellt horisontellt magnetiskt spinn. Det nya angreppssättet gör att minnescellen blir enklare att skala, ner till under 90 nm, hävdar NEC.
Strukturen på den nya minnescellen liknar en MOS-transistor, med minnescellen är omgiven av anslutande områden, typ drain/source (se figur till höger).
NEC:s minnescell fungerar så att när en skrivström flyter åt ett håll, exempelvis vänster till höger, så linjerar elektronernas spinn i en viss vertikal riktning som definieras som en etta. När strömmen går i den andra riktningen byter elektronerna spinnriktning, vilket definieras som en nolla. När minnet ska läsas skickas en vertikal ström genom cellen varvid resistansen mäts. En stor respektive liten resistans motsvarar etta eller nolla. Området där elektronerna har samma spinnriktning kallas den magnetiska domänen och är 10-20 nm brett.
NEC säger sig ha tagit fram en prototyp på 4 kbit. Ytan på minnescellen är cirka 0,1 kvadratmikrometer vid 90 nm. Skrivströmmen är bara 0,1 mA, medan skrivtiden anges till 2ns. NEC menar att det nya minnet skulle kunna minska effektförbrukningen i framtida datorer radikalt, då systemet kan stängas av helt när det inte används.
