About / Advertise
Koreanska Samsung har köpt amerikanska Grandis, som utvecklar så kallade STT-RAM, en typ av magnetiskt minne som enligt företaget har potential att ersätta både DRAM och flashminnen.
MRAM, och i synnerhet varianten STT-RAM (spin-transfer torque random access memory) har i flera år utmålats som nästa stora minnesteknik. I teorin är de lika billiga som DRAM, lika snabba som SRAM, och icke-flyktiga precis som flash. Än så länge har dock verkligheten inte levt upp till entusiasternas beskrivningar.
Det hindrar inte en rad företag från att investera i forskning på området. Grandis hör till de äldre – företaget grundades 1992 och har genom åren fått 15 miljoner dollar i riskkapital från flera källor.
Grundtanken med STT-RAM är att data skrivs genom att elektronens spinn styrs med en ström som är polariserad i samma riktning som själva elektronerna. Detta är enligt Grandis en strömsnålare teknik än första generationens MRAM, där data skrivs genom att applicera ett magnetisk fält som alstras av en ström genom en ledare nära ett tunnlande magnetorestriktivt element.
Utöver Grandis finns ett tiotal bolag som är aktiva i STT-RAM-utvecklingen. Samsung, som nu köper Grandis för en icke angiven summa, har tidigare även bedrivit egen forskning på området. Grandis har även samarbetat med japanska Renesas.
