About / Advertise
Minnen uppbyggda av kolnanorör kan bli framtidens alternativ till dagens flashminnen och DRAM. Det tror det belgiska forskningsinstitutet Imec, som nu inleder samarbete med utvecklingsföretaget Nantero.
– Efter att vi gått igenom de framsteg som Nantero gjort tillsammans med sina tillverkningspartners har vi beslutat att företagets icke-flyktiga minnesteknik har mycket attraktiva egenskaper, säger Luc Van den hove, i ett uttalande.Nantero har utvecklat minnen baserade på kolnanorör, kallade NRAM, sedan år 2000. På sin hemsida hävdar företaget att den egna tekniken kan ligga till grund för minnen som blir betydligt snabbare och mer kompakta än dagens DRAM. Samtidigt drar de mindre energi än både DRAM och flash.
Hittills har Nantero tagit fram ett NRAM om 4 Mbit i en CMOS-miljö. Enligt Imec har minnet en skrivhastighet på under 3 ns. Det tros kunna skrivas oändligt många gånger – hittills har forskningsinstitutet i test kunnat påvisa att det åtminstone klarar att en biljon skrivningar.
– Nantero och Imec ska tillsammans utveckla och demonstrera denna form av minne för framtida tillämpningar under 20 nm, såsom minnesmatriser som lagrar terabit och ultrasnabba icke-flyktiga cacheminnen i gigabitformat, säger Imecs teknikchef Jo de Boeck.
Förhoppningen är alltså att NRAM ska kunna ersätta flashminnen framöver, men även DRAM, som får svårt att skala när processerna når under 18 nm.
