JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Infineon och Panasonic har sedan tidigare utvecklat GaN-transistorer gemensamt. Nu har företagen kommit överens om ett utökat samarbete. Planen är att inom två år släppa 650V HEMT:ar på 8-tums kiselskivor.

Infineon och Panasonic har tecknat ett avtal om att gemensamt utveckla och tillverka en andra generation GaN-transistorer. Det handlar om så kallade GaN-på-kisel-transistorer.

Företagen understryker framförallt två detaljer i det nya avtalet. Det ena är att de tar klivet upp till 8-tums kiselskivor, vilket bäddar för större volymer och kostnadseffektiva transistorer. Det andra är att det handlar om en 650V HEMT-arkitektur, vilket företagen hävdar är vad marknaden kräver.

Företagens första gemensamma GaN-generation är på 600V och är hos Infineon känd under namnet CoolGaN och hos Panasonic som X-GaN. Den är baserad på en transistorkonstruktion som normalt är avstängd, så kallat normally-off. Även nästa generation kommer att bli baserad på motsvarande transistorkonstruktion.

Planen är att de nya 650V GaN-transistorerna ska nå marknaden under första halvan av 2023.

MER LÄSNING:
 
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus