JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Tysk och japan i fortsatt GaN-samarbete
 

Infineon och Panasonic har sedan tidigare utvecklat GaN-transistorer gemensamt. Nu har företagen kommit överens om ett utökat samarbete. Planen är att inom två år släppa 650V HEMT:ar på 8-tums kiselskivor.

Infineon och Panasonic har tecknat ett avtal om att gemensamt utveckla och tillverka en andra generation GaN-transistorer. Det handlar om så kallade GaN-på-kisel-transistorer.

Företagen understryker framförallt två detaljer i det nya avtalet. Det ena är att de tar klivet upp till 8-tums kiselskivor, vilket bäddar för större volymer och kostnadseffektiva transistorer. Det andra är att det handlar om en 650V HEMT-arkitektur, vilket företagen hävdar är vad marknaden kräver.

Företagens första gemensamma GaN-generation är på 600V och är hos Infineon känd under namnet CoolGaN och hos Panasonic som X-GaN. Den är baserad på en transistorkonstruktion som normalt är avstängd, så kallat normally-off. Även nästa generation kommer att bli baserad på motsvarande transistorkonstruktion.

Planen är att de nya 650V GaN-transistorerna ska nå marknaden under första halvan av 2023.

 
data-dcm-placement='N7384.153121.ELEKTRONIKTIDNIGEN/B30748631.379032726' data-dcm-rendering-mode='script' data-dcm-https-only data-dcm-api-frameworks='[APIFRAMEWORKS]' data-dcm-omid-partner='[OMIDPARTNER]' data-dcm-gdpr-applies='gdpr=${GDPR}' data-dcm-gdpr-consent='gdpr_consent=${GDPR_CONSENT_755}' data-dcm-addtl-consent='addtl_consent=${ADDTL_CONSENT}' data-dcm-ltd='false' data-dcm-resettable-device-id='' data-dcm-app-id=''>

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)