JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. TI fyrdubblar GaN-kapaciteten
 

Texas Instruments har konverterat en äldre åttatums-CMOS-fabrik i Japan till galliumnitrid. Åtgärden fyrdubblar företagets kapacitet som därmed ska täcka 95 procent av behovet.

Fabriken I japanska Aizu har redan startat produktionen och ska tillsammans med företagets fabrik i Dallas, Texas, kunna täcka 95 procent av företagets behov år 2030.

De kör företagets egenutvecklade process för galliumnitrid-på-kisel med 200 mm-skivor. I pressmeddelandet säger TI också att företaget har genomfört lyckade tester med 300 mm-skivor och kan ta steget upp till den större diametern när så behövs. Även högre spänningar finns i planen, från dagens 650 till 900 V och sedan ännu högre.

Konkurrenten Infineon hävdade i augusti att företaget var först med att ha en fungerade GaN-process för 300 mm. Sampels ska komma i slutet av nästa år och kommersiell produktion året därpå.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vakant

Sälj och marknads­föring +46(0)734-171099 ads@etn.se
Per Henricsson
Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

 
Jan Tångring
Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)