About / Advertise
För drygt ett år sedan avslöjade NEC detaljer om en ny 55 nm process för inbyggda DRAM ämnade för bland annat Nintendos spelkonsoler. Nu tar NEC ytterligare ett steg och hävdar att man kan bygga in DRAM i systemkretsar om 40 nm.
NEC avslöjar att man nu utvecklat inbyggda DRAM för systemkretsar tillverkade i 40 nm. Det sker exakt 14 månader efter det att företaget introducerat sin nya eDRAM-process, då för 55 nm. Enligt NEC rör det sig om industrins första eDRAM-process som kombinerar hafniumsilikat och nickelsilicid, vilken bland annat minskar läckströmmarna i kretsen. Två inbyggda DRAM-varianter för 40 nm CMOS är vad NEC talar om. Den ena, UX8GD, klarar klockhastigheter på upp till 800 MHz och siktar på avancerad konsumentelektronik. Den andra, UX8LD, är optimerat för låg effektförbrukning och påstås ha läckströmmar som ligger 65 procent lägre är ekvivalenta SRAM. Med dessa minnen siktar NEC på en plats i framtida mobiltelefoner och andra bärbara produkter.
De nya eDRAM-varianterna har en minnescell som är 50 procent mindre än då minnet tillverkas i 55 nm. De kommer i volymer under nästa år i storlekar upp till 256 Mbit.
