JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Nytt höjdrekord – 128 Gbit

Nytt höjdrekord ger 128 Gbit

Toshiba säger sig vara först med ett flashminne byggt i 48 lager som med två bitar per cell rymmer hela 128 Gbit per chip. Genom att bygga minnescellerna på höjden, tredimensionellt, går det att få in fler bitar per ytenhet vilket i sin tur sänker priset per bit.
Toshiba kallar sin teknik för BiCS (Bit Cost Scalable) och nu har man kommit upp i en stack på 48 lager där varje minnescell lagrar två bitar per cell. Man säger sig använda en teknik som ökar tillförlitligheten liksom antalet läs- och skrivcykler vilket varit en akilleshäl för flash med flera bitar per cell.

Företaget ger inga siffror men hävdar att processen är tillräckligt bra för att minnena ska kunna användas i SSD-diskar. Toshiba ger heller inget pris för minnet. Det finns sampel för den som vill testa.

Det här är Toshibas fösta generation 3D-Flash efter att man utvecklat tekniken sedan 2007.

Konkurrenten Samsung har redan sin andra generation 3D-flash i produktion, 3D V-NAND, som bland annat används i SSD-minne.

Intel och Micron utvecklar 3D-flashteknik som kallas IMFT (Intel-Micron Flash Technologies) och ska börja volymproduceras i år. Intel och Micron bräcker Toshiba i kapacitet – man har släppt provexemplar av 256 Gbit-chips i MLC-teknik och räknar med att med TLC-teknik kunna komma upp i hela 384 Gbit per chip.

SK Hynix har en teknik kallad DC-SF som ska börja volymproduceras 2016.

Källor: Toshiba, Tomshardware

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)