About / Advertise
Krafthalvledarspecialisten Fairchild har släppt flaggskeppet i sin nya PowerTrench-generation: en Mosfet-arkitektur med trenchstruktur som företaget lanserade första gången för närmare 25 år sedan och som sedan dess förbättrats i omgångar. Nykomlingen är en 100V-transistor.
Fairchild är en pionjär när det gäller Mosfet:ar med trenchstruktur; en design som ger klart lägre förluster än planara alternativ. Under 1990-talet släppte företaget sin första produkt och idag har det en portfölj som rymmer flera tusen olika varianter.
FDMS86181, en 100V N-kanal Mosfet, är först ut i en ny PowerTrench-generation. Får man tro Fairchild så är den nya kretsen bättre än alternativen i det mesta – den erbjuder enligt företaget väsentliga bättre verkningsgrad, minskad spänningsringning och lägre EMI i kraftmoduler, motordrivenheter och andra tillämpningar som kräver 100V.
Mer konkret pekar Fairchild på två fördelar hos FDMS86181. Dels ett Rdson som skruvats ner med 40 procent, vilket i sin tur sänker ledningsförlusterna. Dels en minimerad gate-laddning (Qg) som ger lägre switchförluster.
Samtidigt har transistorn exceptionellt lågt QRR (reverse recovery energy), vilket praktiskt taget eliminerar den så kallad spänningsöverslängen (voltage overshoot) som skapar spänningsringning. Det gör i sin tur att man kan minska på eller helt ta bort så kallade snubbers (dämpare) i konstruktioner och även minska EMI.
Planen är att demonstrera den nya krafttransistorn under kraftmässan PCIM som går av stapeln i tyska Nürnberg den 10-12 maj i år. 
