I Elektroniktidningens marknadsöversikt presenterar vi denna gång de flesta minneskretar som finns till försäljning idag.
Översikten innehåller både dynamiska och statiska läs- och skrivminnen (DRAM och SRAM) samt flashminnen och olika varianter av läsminnen (ROM). Moduler som innehåller flera enstaka minneskretsar är däremot inte medtagna.
Tio tillverkare påstår sig ha DRAM i storleken 64 Mbit, och åtminstone två tillverkare, IBM och Samsung, har redan producerat DRAM om 256 Mbit. Dessa minnen är dock inte medtagna här eftersom de ännu inte går att köpa.
Intressant är att EDO-minnet som bara för ett år sedan ansågs nytt och spännande nu är lika vanligt som FPM-minnet. Dessutom har synkrona DRAM, som är en vass konkurrent till just EDO-minnet, kommit mycket starkt under det senaste året.
Värt att notera är också att 3V-matade flashminnen blir allt vanligare. För bara ett år sedan var dessa en raritet, nu finns det sju tillverkare namngivna.
CDRAM och Enhanced DRAM är två minnesarkitekturer som kombinerar ett DRAM och ett SRAM, medan Rambus är ett DRAM som har ett speciellt gränssnitt. Gränssnittet ger en datahastighet på upp till 500 Mbit/s. Texas Instruments minne kallat Field Memory är slutligen ett mellanting mellan ett DRAM och video- RAM speciellt utvecklat för digital-TV.