JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. OUM snart ute ur labben

OUM, Ovonic Unified Memory, är en minnesteknik döpt efter sin upphovsman Ovshinsky.Tekniken har mer än 30 år på nacken; trots det har kretsarna inte lyckats lämna utvecklingslabben. Men på sistone har materialforskarna tagit stora kliv framåt.
Intel kunde i början av året visa upp en 4 Mbit OUM-krets tillverkad i en 0,18 μm CMOS logikprocess. Den sägs klara 1012 läs- och skrivcykler, och data förstörs inte vid skrivning.

Liksom all OUM-teknik så bibehåller minnet sitt innehåll även utan matningsspänning. Intel går nu vidare till en 0,13 μm-process, men när kommersiella produkter är att vänta avslöjar företaget inte. Intels licensierar OUM-teknik från Ovonyx, som också samarbetar med bland annat ST Microelectronics.

OUM-tekniken är effektsnål, betydligt snabbare än flash, men långsammare än DRAM. En stor fördel är att OUM-cellerna är små och kan packas mycket tätt, vilket borgar för lågt styckepris eftersom tekniken dessutom sägs vara enkel att tillverka.

OUM lagrar 1:or och 0:or genom att ändra resistansen i en glasliknande legering. När materialet hettas upp av en resistor så ändrar det fas: från ledande kristallstruktur till isolerande amorf struktur.

Charlotta von Schultz

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)