JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Inbyggt SRAM ännu tätare

Mosys har halverat storleken på sin entransistors SRAM-lösning för inbyggnad i system på kisel. Nyheten kallas 1T-SRAM-Q, och ger minnen som tar upp fjärdedelen så mycket plats som konventionella inbyggda SRAM med sex transistorer. I 0,13 um-teknik kan 128 Mbit minne integreras med tekniken, vid 90 nm ökar möjligheterna till 256 Mbit.

Ytminskningen åstadkoms genom att vika en av kapacitanserna ner i ett etsat hål. Det kräver en extra mask och ett eller två extra processteg, vilket ökar kostnaden med cirka 5 procent. å andra sidan blir minnet 10-30 procent snabbare och drar 10-20 procent mindre effekt än föregångaren. Enligt Mosys blir tekniken lönsam då minnet tar upp mer än 10 procent av kretsytan.

Adam Edström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)