Koreanska Samsung har lyckats bygga ett synkront DDR DRAM om 4 Gbit. Minnet är tillverkat i en 0,11 μm-process och utnyttjar en helt ny kondensatorkonstruktion
Kondensatorerna har en konkav struktur, vilken ska göra att risken för bitfel i minnet reduceras. Minnet är ännu på prototypstadiet och prover ska dyka upp om tre år. Innan dess tänker Samsung utnyttja tekniken för att minska storleken hos DDR DRAM på 256 Mbit och 512 Mbit.