About / Advertise
Japanska Toshiba och Fujitsu skall samarbeta för att ta fram nästa generation halvledare.
Målet är att utveckla ett 1 Gbit DRAM i en 0,13 μm-process.
De två företagen drar omedelbart i gång sitt samarbete vid Toshibas utvecklingscenter i japanska Yokohama. Nära 100 forskare skall knytas till projektet som totalt får kosta 250 miljoner dollar fram till mars 2002.
Därefter skall den nya tekniken förhoppningsvis finnas kommersiellt tillgänglig.
Mycket av utvecklingsarbetet kommer att kretsa kring nya material för framtida minneskretsar. När halvledartillverkningen flyttas från en 0,35 μm-process till 0,13 μm-process krävs det att antalet olika material dubbleras till ett tjugotal. Största utmaningen är att ta fram ett material med extremt hög dielektricitetskonstant som gör det möjligt att behålla kapacitansen i minnescellen trots att kondensatorns storlek minskar rejält.
Samarbetet mellan Toshiba och Fujitsu är emellertid inte bara intressant rent forskningsmässigt, utan även på annan nivå. För bara några månader sedan spekulerades det nämligen vilt i att Fujitsu var på väg att lägga ner sin DRAM- tillverkning. Toshiba tycks dock ha givit Fujitsu en utsträckt hand, efter det att företagets samarbete med IBM och Siemens skurit sig rejält.
IBM och Siemens meddelar dock att de fortsätter sitt samarbete kring 1 Gbit DRAM, medan Toshiba fortsätter att vara med på ett hörn vad gäller utveckling av 256 Mbit-minnen.
Värt att notera i sammanhanget är att även Hitachis, Mitsubishi Electrics och Texas Instruments samarbete kring 1 Gbit DRAM har avslutats i det tysta. De två förstnämnda företagen valde att gå skilda vägar efter det att Micron Technology köpt ut Texas Instruments DRAM-tillverkning tidigare i år.
Anna Wennberg
