JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. MRAM mognar

Motorola, Infineon, IBM och NVE är några av de cirka tio företag som utvecklar magnetoresistiva minnen, MRAM.Ännu finns inga kommersiella produkter på marknaden, men flera företag räknar med att dra igång produktionen nästa år eller året därpå.
MRAM kan skrivas och läsas snabbare än dagens dominerande minnen. När det gäller hastighet slår MRAMet även FeRAM på fingrarna.

Dessutom är tekniken effektsnål, tål oändligt antal skriv- och läscykler och behåller sitt innehåll även utan matningsspänning. Ett annat plus är att tekniken tål strålning, till skillnad från SRAM som vid krympande kiselgeometrier väntas få problem med så kallade mjuka fel, soft errors, orsakade av strålning. Därför sponsrar det amerikanska försvarets forskningsmyndighet Darpa MRAM-utvecklingen.

1998 byggde IBM det första fungerande MRAM-et. I somras slog Motorola ett nytt storleksrekord med en 1 Mbit krets. Det var ett testchips som integrerats med en 0,6 μm CMOS-process med kopparledningar. Läs- och skrivcykler tog mindre än 50 ns. Fast produktionen startar först år 2004.

En av utmaningarna med tekniken är just integrationen med CMOS. För att stärka MRAMs konkurrenskraft försöker minnestillverkarna även minska cellstorleken samt effektförbrukningen vid skrivning.

Ett MRAM utnyttjar att en ström genom en ledning skapar ett magnetiskt fält och vice versa. Förändringar i den magnetiska polarisationen ger en resistansförändring som motsvarar 1 eller 0. MRAM-cellen består av en transistor samt en så kallad MTJ-struktur, Magnetic Tunnel Junction, som placeras ovanpå transistorn för att spara yta.

Charlotta von Schultz

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)