– Men vår modell är uppbyggd av indiumarsenid där elektronerna rör sig lättare jämfört med kisel, som är det konventionella halvledarmaterialet i transistorer. Egentligen är indiumarsenid i transistorer svårt att tillverka men med nanoteknik går det ganska enkelt, säger Lars-Erik Wernersson, professor i fasta tillståndets fysik vid Lunds Tekniska Högskola i ett pressmeddelande.
Lundaforskarnas vision är att deras transistor ska kunna sänka energiförbrukningen i till exempel mobiltelefoner och datorer och göra att de inte behöver laddas lika ofta. Den kan dessutom komma att ge möjligheten för att kommunicera inom frekvenser som med dagens teknik är för höga för att kunna användas.
Transistor byggs upp enligt en bottom up-princip istället för att etsas fram på traditionellt viss. På sikt hoppas forskarna att den nya transistorn ska kunna användas vid frekvenser upp till 60 GHz.
– Med 60 GHz kan man bara kommunicera på korta avstånd och expelvis inte genom väggar. Men det här nya frekvensområdet kan man effektivisera den trådlösa kommunikation i hemmet, till exempel när man ska ladda ner en film eller för att kommunicera mellan tv och projektor. För det vet vi, att olika elektriska apparater i framtiden kommer att integreras allt mer, säger Lars-Erik Wernersson.
Det svenska forskningsteamet hävdar att de har kommit längst i världen inom detta område, även om exempelvis halvledargiganten IBM i USA jobbar med motsvarande forskning. Den nya transistorn beskrivs i det senaste numret av IEEE:s skrift ”Electron Device Letters”.