About / Advertise
Taiwanesiska UMC säger sig vara först i världen med ett fullt funktionellt SRAM i 28 nm-teknik. Minnet, som är baserat på företagets egenutvecklade process med lågt läckage, ger nästan dubbelt så hög densitet jämfört med dagens 40 nm-alternativ.
UMC avslöjar att företaget använder immersionslitografi med dubbelt mönster och sträckt kiselteknik för sin 28 nm-process, vilket ger mycket små SRAM-celler. En cell med sex transistorer är cirka 0,122 kvadratmikrometer. – Vi är mycket förväntansfulla inför vad vi uppnått. Det är en solid start för vidareutveckling mot en kommersiell process, säger S.C Chien, ansvarig för avancerad teknikutveckling på UMC i ett pressmeddelande.
Nu lägger företaget fokus på att optimera olika delar i processen, som exempelvis lägsta spänningsnivåer, modulering av sträckningseffekter och yield.
Tanken är att UMC framöver ska adressera två olika marknader med den nya processen. Dels ska en mer konventionell process med lågt läckage användas för bärbara produkter, som mobiler. Dels ska en process som utnyttjar en metallgate med högt k-värde utvecklas för chips som ska användas i snabba kommunikationstillämpningar.
