Prototyperna är byggda i 45 nanometer. Technology Review antyder att Intel planerar att använda teknologin i egna framtida chips.
Den sänkta spänningen i experimentverkstaden ger en brusigare krets. Det gör dem extra känsliga mot åldring, mot variationer i temperatur eller mot spänningsfall när många transistorer vill ha energi samtidigt.
På dagens kretsar överdimensioneras spänningen för att klara alla tänkbara fall, trots att lägre spänning nästan alltid är tillräckligt. Det ger en onödigt hög energiförbrukning, särskilt för batteridrivna tillämpningar.
Enligt Intels forskare växer dessutom risken för sporadiska fel med krympande geometrier, vilket betyder att ståndaktighet mot fel kan komma att bli ett nödvändigt krav, på 20 nanometersnivån.