About / Advertise
Toshiba gör transistor med nanotrådar
Genom att använda nanotrådar i styret säger sig japanska Toshiba kunna minska resistansen och öka strömmen med 75 procent. Sammantaget öppnar det för en ny typ av 3D-transistor i kommande processnoder från 16 nm och framåt.Lösningen är någon form av tredimensionell struktur. En möjlighet är att tillverka nanotrådar som får utgöra kanalen mellan source och drain. Med nanotrådar går det att minska läckströmmarna så att de blir acceptabla.
Ett av problemen har varit den höga resistansen i nanotrådarna men Toshiba säger sig nu ha löst det problemet. Företaget har tillverkat en transistor som ger 1 mA/µm i aktivt läge men inte är mer än 100nA/μm i läckage när transistorn är avstängd.
Resultaten presenteras på konferensen VLSI Technology på Hawaii.
