JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Toshiba gör transistor med nanotrådar

Toshiba gör transistor med nanotrådar

Genom att använda nanotrådar i styret säger sig japanska Toshiba kunna minska resistansen och öka strömmen med 75 procent. Sammantaget öppnar det för en ny typ av 3D-transistor i kommande processnoder från 16 nm och framåt.
Dagens planära transistorer är på väg att bli så tunna att de inte längre går att krympa. De kritiska lagren består snart av bara några atomlager vilket gör det omöjligt att hålla tillbaka läckströmmen mellan source och drain.

Lösningen är någon form av tredimensionell struktur. En möjlighet är att tillverka nanotrådar som får utgöra kanalen mellan source och drain. Med nanotrådar går det att minska läckströmmarna så att de blir acceptabla.

Ett av problemen har varit den höga resistansen i nanotrådarna men Toshiba säger sig nu ha löst det problemet. Företaget har tillverkat en transistor som ger 1 mA/µm i aktivt läge men inte är mer än 100nA/μm i läckage när transistorn är avstängd.

Resultaten presenteras på konferensen VLSI Technology på Hawaii.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)