Obama: Framtidens elektronik ska tillverkas i USA
Nya halvledarmaterial med stora bandgap, som kiselkarbid och galliumnitrid, kommer dramatiskt att förändra elektronikindustrin. Nu säger USA:s president Barack Obama att de nya fabrikerna ska byggas i USA.Så lanserade Barack Obama den nya privat-offentliga projektet där sex universitet och 18 företag gemensamt ska utveckla kraftelektronik baserat på material med stora bandgap.
Han talade för studenter och personal vid universitetet i North Carolina, där forskningen och samordningen ska ske.
– Halvledare med stora bandgap gör det möjligt att tillverka elektronik som klarar högre spänning, höge temperatur och högre frekvenser. Allt från mobiltelefoner till industrimotorer och elbilar kan göras mindre, snabbare och billigare, sade Barack Obama.
Konsortiet får 70 miljoner dollar från DOE, det amerikanska energidepartementet, och minst lika mycket från industriföretagen plus minst 10 miljoner från delstaten North Carolina.
I en video på Vita Husets sajt förklaras på två minuter varför det är så viktigt att USA försöker få tillbaka initiativet på elektronikområdet genom forskning och utveckling på material med stora bandgap. (Länk till Vita Husets blogg)
Dels skapar det många nya högkvalificerade industriarbeten, dels sparar det enorma mängder energi. I videon talar man om att industriförbrukningen minskar med upp till 90 procent och att för USA:s egen del skulle innebära en årlig besparing på vad tre stora vattenkraftverk producerar.