About / Advertise
30 procent högre produktivitet, tio procent högre prestanda, 15 procent effektivare och bandbredden ökad från 3200 till 3600 Mbit/s per stift – det är skillnaden mellan ett DDR4-minne på 8 Gb som använder andra generationen av Samsungs 10 nm-klass DRAM jämfört med första generationen.
Uttrycket ”10 nm Class” betyder att linjebredden ligger mellan 10 och 19 nanometer.
Hemligheten bakom förbättringarna är inte EUV-teknik, meddelar Samsung.
Företaget har lärt sig att mer exakt känna av vilket värde som finns lagrat i en cell. Detta har ökat produktiviteten och integrationsgraden.
Dessutom har Samsung hittat en teknik för att dramatiskt minska parasitkapacitansen mellan bitledningar. Detta betyder bland annat att cellerna kan arbeta snabbare.
Den nya generationen DRAM kommer att användas i DDR5-, HBM3-, LPDDR5- och GDDR6-minnen. Processen har validerats tillsammans med cpu- och systemtillverkare, som varit och är nära partners i laboratorierna.
Produktionen av första generationens 10 nm-klass DRAM har pågått sedan februari 2016 och kommer att fortsätta.
