About / Advertise
40 procent fler transistorer, 20 procent högre prestanda och halverad energiförbrukning. Samsungs nya CMOS-process på 7 nm ger många förbättringar för det fåtal kunder som kommer att behöva tillräckligt stora volymer för att det ska löna sig att använda den. Det som väckt mest uppmärksamhet är dock användningen av extremt ultraviolett ljus för delar av litografiprocessen.
EUV med 13,5 nm våglängd har länge varit en teknik som spåtts ersätta ljuskällor med argonfluor på 193 nm som krävt flera masker för varje lager, så kallad multi-patterning. EUV har dock hela tiden varit för dyrt. Tills nu.
Samsung uppger att företaget kan ersätta de upp till fyra masker som kan krävas för ett lager, med en enda i och med bytet till EUV. För de allra finaste geomtrierna i de understa lagren krävs det dock mer än en mask även med EUV.
Konkurrenten TSMC skickade ut ett liknande pressmeddelande för några veckor sedan om att företaget håller på att rampa upp sin 7 nm-process, som även den använder EUV.
Samsung uppger att den nya processen 7LPP (Low Power Plus) krymper transistorerna med 40 procent, gör dem 20 procent snabbare och sänker energiförbrukningen med 50 procent jämfört med dagens process på 10 nm.
Företaget uppger i ett pressmeddelande att runt 50 företag stödjer processen, inklusive Ansys, Arm, Cadence (både analoga och digitala konstruktioner), Mentor, Synopsys och Verisilicon.
Samsung räknar med att dra igång en andra produktionslina för 7 nm med EUV år 2020.
