JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Infineon först med GaN på 300 mm

Genom att går från wafers på 200 mm till 300 mm kommer kraftkomponenter i galliumnitrid att bli betydligt billigare. Infineon säger sig vara första bolag i världen att ha tagit steget.

– Det tekniska genombrottet kommer att förändra spelreglerna för industrin och göra det möjligt för oss att frigöra galliumnitridens fulla potential, säger Infineons vd i ett pressmeddelande.

Företaget köpte kanadensiska GaN Systems för åtta miljarder kronor i mars 2023 för att stärka sin position på området och har också omfattande verksamhet på kiselkarbid och kisel, de andra två materialen för kraftkomponenter.

Arbetet med pilotprocessen för galliumnitrid på 300 mm har gjorts i österrikiska Villach, där företaget har en fabrik för kraftkomponenter.

Den större diametern innebär att man får ut ungefär 2,3 gånger fler komponenter per skiva samtidigt som tillverkningskostnaden ökar marginellt och åttatumsmaskiner ger bättre yield.

Infineon skriver i pressmeddelandet att GaN-komponenter därför har potential att kostnadsmässigt hamna i paritet med kiselkomponenter om man tittar på RDS(on).

Företaget kommer att visa upp ett antal åttatumsskivor med GaN-komponenter på Electronicamässa i november men säger inget om när volymproduktionen kan komma igång.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)