JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Tionde generationens 3D-flash

33 procent snabbare kommunikation med omvärlden i kombination med lägre strömförbrukning plus 59 procent högre bitdensitet. Det är några av löftena från Kioxia och Sandisk för tionde generationens NAND-flash som presenterades på halvledarkonferensen ISSCC.

Jämfört med åttonde generationen av företagens 3D-flash som nu är i massproduktion ökar gränssnittshastigheten med 33 procent till på 4,8 Gb/s. Dessutom minskar strömförbrukningen med 10 procent för indata och 34 procent för utdata.

Även bitdensiteten förväntas öka med 59 procent för tionde generationen genom att antalet minneslager ökar till 332 stycken, från dagens 218, i kombination med en optimerad planlösning för ökad plandensitet.

Den kommersiella lanseringen ligger ett antal år fram i tiden.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)