Prototyperna, de fem första av 15 planerade processorer i en familj kallad Penryn, gjorda i 45 nm CMOS-teknik, innehåller två nya material. För dielektrikat har Intel valt bort den hittills allenarådande kiseldioxiden till förmån för ett material baserat på grundämnet hafnium. Med kiseldioxid var företaget nere på en tjocklek av bara 1,2 nm, motsvarande fem atomlager, vid 65 nm-processen. Tunnare skikt var möjliga att göra, men de hade fört med sig allt för stora läckströmmar.
Med hafniummaterialet, som har hög så kallad k-faktor, kan dielektrikat göras tjockare, samtidigt som läckströmmarna minskas med en faktor tio, och därmed kan drivströmmarna öka med över 20 procent, rapporterar företaget.
Det andra nya materialet används i styrelektroden (gate) på transistorerna. Här är sammansättningen hemlig - det enda Intel avslöjar är att det handlar om "en kombination av olika metaller".
Tack vare nyheterna kan företaget nu lova att 45 nm-kretsarna får 30 procent lägre strömförbrukning än föregångarna i 65 nm-teknik. En annan stor poäng är att man kan fortsätta litografi med 193 nm våglängd. Alternativet hade annars varit att minska våglängden, vilket skulle innebära enorma investeringar.
Även IBM lanserar en motsvarande nyhet, som av en händelse samma dag som Intel. IBM säger sig ha löst precis samma problem, men är inte lika specifik med informationen. Det enda IBM säger är att man också använder ett material med hög k-faktor, dock utan att avslöja någonting om vare sig sammansättningen eller prestandaförbättringen.