Tanken är att det nya minnet ska ersätta seriella flashminnen i olika elektroniksystem som kräver låg effektförbrukning och liten yta, exempelvis hörapparater. Fördelen med FRAM jämfört med flashminnen är att de har lägre strömförbrukning, skriver snabbare och kan i stort sätt skrivas till oändligt många gånger – åtminstone 100 triljoner, enligt Ramtron.
Nykomlingen FM25H20 har 8 block med 256 kbit och matas med 2,7 till 3 V. Det integrerar ett SPI-gränssnitt och drar mindre än 10 mA då det läser eller skriver vid 40 MHz. I stand-by förbrukar det 80 µA, medan det i sovläge endast nyttjar 3µA. Minnet kommer kapslat i en TDFN med 8 anslutningar och är benkompatibelt med ekvivalenta seriella flashminnen, hävdar Ramtron.