About / Advertise
Minnestillverkaren Ramtron har lanserat industrins första seriella ferroelektriska minnen som lagrar 2 Mbit – alltså fyra gånger mer än föregångaren – och som skriver med dubbla klockhastigheten. Kretsen är tillverkad i Texas Instruments 130 nm-process.
I fjol lanserade Ramtron ett FRAM om 4 Mbit tillverkat i samma process av Texas Instrument. Men det minnet är parallellt. Dagens nysläpp, FM25H20, har ett seriellt SPI-gränssnitt som kan läsa och skriva med busshastigheter upp till 40 MHz. Tidigare FRAM med SPI-gränssnitt kan lagra upp till 256 kbit och stöder busshastigheter upp till 20 MHz. Tanken är att det nya minnet ska ersätta seriella flashminnen i olika elektroniksystem som kräver låg effektförbrukning och liten yta, exempelvis hörapparater. Fördelen med FRAM jämfört med flashminnen är att de har lägre strömförbrukning, skriver snabbare och kan i stort sätt skrivas till oändligt många gånger – åtminstone 100 triljoner, enligt Ramtron.
Nykomlingen FM25H20 har 8 block med 256 kbit och matas med 2,7 till 3 V. Det integrerar ett SPI-gränssnitt och drar mindre än 10 mA då det läser eller skriver vid 40 MHz. I stand-by förbrukar det 80 µA, medan det i sovläge endast nyttjar 3µA. Minnet kommer kapslat i en TDFN med 8 anslutningar och är benkompatibelt med ekvivalenta seriella flashminnen, hävdar Ramtron.
