JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 ETN.fi  Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
torsdag 4 juni 2020 VECKA 23
Minnestillverkaren Ramtron har lanserat industrins första seriella ferroelektriska minnen som lagrar 2 Mbit – alltså fyra gånger mer än föregångaren – och som skriver med dubbla klockhastigheten. Kretsen är tillverkad i Texas Instruments 130 nm-process.

I fjol lanserade Ramtron ett FRAM om 4 Mbit tillverkat i samma process av Texas Instrument. Men det minnet är parallellt. Dagens nysläpp, FM25H20, har ett seriellt SPI-gränssnitt som kan läsa och skriva med busshastigheter upp till 40 MHz. Tidigare FRAM med SPI-gränssnitt kan lagra upp till 256 kbit och stöder busshastigheter upp till 20 MHz.

Tanken är att det nya minnet ska ersätta seriella flashminnen i olika elektroniksystem som kräver låg effektförbrukning och liten yta, exempelvis hörapparater. Fördelen med FRAM jämfört med flashminnen är att de har lägre strömförbrukning, skriver snabbare och kan i stort sätt skrivas till oändligt många gånger – åtminstone 100 triljoner, enligt Ramtron.

Nykomlingen FM25H20 har 8 block med 256 kbit och matas med 2,7 till 3 V. Det integrerar ett SPI-gränssnitt och drar mindre än 10 mA då det läser eller skriver vid 40 MHz. I stand-by förbrukar det 80 µA, medan det i sovläge endast nyttjar 3µA. Minnet kommer kapslat i en TDFN med 8 anslutningar och är benkompatibelt med ekvivalenta seriella flashminnen, hävdar Ramtron.
MER LÄSNING:
 
Här får du våra nyheter gratis
• Tidningen, i brevlådan (länk).

• Dagligt nyhetsbrev (länk).

245
elektronik­konsulter

Registrera ditt företag nu!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)