About / Advertise
Med hjälp av en ny kapslingsteknik hävdar Texas Instruments att man kan erbjuda Mosfet-transistorer som hanterar upp till 50 procent mer ström än alternativen i samma storlek. Först ut är fem kretsar, men fler kommer lovar företaget. Tekniken, kallad Dualcool Nexfet, gör att värmeavledningen ökar med upp till 80 procent och att transistorerna därmed kan hantera upp till 50 procent mer ström utan att temperaturen ökar. Metoden har sina rötter i Mosfet-specialisten Ciclon som TI köpte i fjol (se länk).
– Genom att leda bort värmen från ovansidan kan vi minska det termiska motståndet i kapseln med en faktor tio jämfört konventionella kapslar, säger Jeff Sherman på Texas Instruments.
Tekniken är som klippt och skuren för DC/DC-tillämpningar som hanterar höga strömmar, menar Jeff Sherman, som demonstrerar tekniken genom att visa bilder på två identiska kretsar. Vid 2,1 W har övergångstemperaturen, Tj, hos kretsen med traditionell kapsel nått hela 71°C. Det är 13 °C varmare än vad kretsen i den nya kapseln utsätts för under samma förhållanden (se bilden). – I detta exempel kan vi öka effekten med runt 30 procent innan kretsen med vår nya kapselteknik når upp i 71°C, säger Jeff Sherman.
Först ut är fem kretsar - alla med 25 Vds och kodnamn CSD16xxxQ5C. Spänningen mellan gate och source varierar dock mellan exemplaren, liksom Rds (on). Alla kretsar finns att få i volymer och kommer kapslade i SON, som är industristandard och upptar en 5 x 6 mm stor yta.
– Detta är bara första steget. På sikt kommer vi att släppa många fler familjemedlemmar, säger Jeff Sherman.
