About / Advertise
Smartmobiler eller smartphones är det som indirekt driver utvecklingen av dagens snabba DRAM. Det hävdar Samsung, när företaget pockar på uppmärksamhet för industrins första DDR3-minnen tillverkat i omgivningen kring 30 nm.
Masstillverkning av ett DDR3-minne i 30 nm-klass är vad Samsung nu har att erbjuda. 30 nm-klass innebär att minnet är tillverkat i en processnod mellan 30 och 39 nm, mer specifikt än så vill företaget inte ange. Först ut är kisel som rymmer 2 Gbit. Krympt processnod och vässad kretskonstruktion gör att det nya DDR3-minnet påstås vara 3,5 gånger snabbare än ett DDR2-minne och 1,6 gånger snabbare än ett DDR3 i 50 nm-klass, utan att dra mer effekt. Använt i en server kan minnet nå en datahastighet på 1,866 Gbit/s, matat med 1,35 V. I en pc kan hastigheten nå hela 2,133 Gbit/s, matat vid 1,5 V.
Samsung menar att det som främst driver utvecklingen av denna typ av avancerade DRAM är den snabba tillväxten av smartmobiler. Enligt analysföretaget IDC ökade försäljningen av smartmobiler med 57 procent under årets första kvartal, jämfört med motsvarande kvartal i fjol. Smartmobilerna driver upp datatrafiken i näten, vilket i sin tur markant ökar trafiken i datacentralerna.
Samsung börjar som sagt med att släppa 2 Gbit-minnen, som alltså redan finns att få i volymer. Företaget planerar dock att ha 4 Gbit-diton i volymer mot slutet av året medan en uppsjö minnesmoduler baserade på det nya minnet ska komma under nästa år.
