About / Advertise
Amerikanska EPC har släppt ett utvärderingskort för laserdioder, utan laserdiod. Hjärtat på kortet är en krafttransistor i galliumnitrid som påstås kunna driva lasern tio gånger snabbare än en motsvarande MOSFET. Med kortet vill EPC visa att GaN-transistorer är överlägsna när det gäller att driva en laserradar i självkörande bilar.
EPC, Efficient Power Conversion, har tio år på nacken och är idag en välkänd tillverkare av GaN-transistorer. I företagets portfölj finns en uppsjö så kallade eGaN FET:ar, som är av sorten enhancement-mode. Det betyder att transistorn inte leder utan drivspänning (normally-off) till skillnad mot klassiska GaN-på-Si-lösningar som är normally-on.
I sin senaste lansering – utvärderingskortet EPC9126 – vill EPC visa att en eGaN FET är betydligt mer lämpad än en MOSFET att driva en laserdiod i en Lidar för självkörande bilar.
På kortet sitter främst företagets GaN-transistor EPC2016C för 100V. Transistorn kan leverera strömpulser på 75 A med en pulsbredd på bara 5 ns. Använd i en laserradar för bilar kan den enligt EPC lägga grunden till Lidar-system som är noggrannare, har högre precision och är betydligt snabbare än idag.
För den som behöver högre strömpulser går det även att få en version som levererar 150A.
Utvärderingskortet innehåller inte någon laser, utan den får användaren själv addera. Däremot är kortet konstruerat för test av laserdioder. Det innehåller flera passiva probar för mätning av spänning och urladdningsströmmar. Det har även SMA-anslutningar som hjälper användaren att interagera med kortet under test.
