About / Advertise
Taiwanesiska Winbond och tyska Infineon tar sitt samarbete kring HyperRAM ett steg vidare. Nu introducerar duon ett minne med datahastigheten 800 Mbyte/s, vilket är dubbelt upp mot tidigare minnesgenerationer.
Det handlar om tredje generationen av minnesarkitekturen HyperRAM, kallad just HyperRAM 3.0.
HyperRAM är utvecklat för att stödja gränssnittet HyperBus, från början utvecklat av Cypress men numera stött av ett flertal MUC-tillverkare.
Redan från start samarbetade Winbond med Cypress kring HyperRAM. Den första minnesgenerationen på 333 Mbyte/s släpptes 2015, sedan dess har en andra generation på 400 Mbyte/s lanserats och nu kommer alltså Winbond och Infineon – som köpte Cypress 2020 – med HyperRAM 3.0 som når upp i 800 Mbyte/s.
HyperRAM 3.0 drivs med 1,8V och klockas med upp till 200 MHz, vilket också gäller för HyperRAM 2.0 och Octal xSPI RAM, men nykomlingen erbjuder högre datagenomströmning med sina 800 Mbyte/s. Det kommunicerar också via ett utökat 16-bit HyperBus-gränssnitt med 22 anslutningar.
HyperRAM marknadsförs som ett kompakt alternativ till traditionella pseudo-SRAM i energisnåla IoT-tillämpningar där utrymmet är knappt men det krävs ett externt RAM. Några exempel är wearables, instrumentkluster i fordon, infotainment- och telematiksystem samt HMI-displayer.
Det första HyperRAM 3.0 som släpps är på 256 Mbyte och finns att få i provexemplar. Det finns tillgängligt som WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package) eller KGD (Known Good Die).
De äldre minnesgenerationerna finns i flera olika densiteter.
