JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Philips bipolära nästan i GaAs-klass

Dubbla gränsfrekvensen, mer än dubbla förstärkningen, lägre brus och högre tillförlitlighet. Det är så Philips jämför sina nya diskreta mikrovågstransistorer med tidigare generationer.

Philips har lanserat två serier diskreta mikrovågstransistorer i kisel särskilt utvecklade för lågspänningstillämpningar som mobiltelefoner och basstationer. Transistorerna är de första komponenterna från Philips nya bipolära process med dubbla polykisellager.

Med den nya processen går det, enligt Philips, att producera transistorer i kisel med prestanda i närheten av galliumarsenidprodukter, men mycket billigare.

Brytfrekvensen fT ligger över 22 GHz, förstärkningen anges till bättre än 20 dB vid 2 GHz och man säger sig också ha nått lågt brus tack vare de små dimensionerna - emittern är mindre än 0,5 μm bred.

Den ena transistorserien är avsedd för småsignaltillämpningar, på den mottagande sidan i tråd-lösa kommunikationssystem. De förbrukar mellan 3 och 25 mA vid 4,5 V matning, och har gränsfrekvens mellan 17 och 22 GHz, förstärkning mellan 21 och 23 dB vid 2 GHz och brus mellan 1,3 och 1,5 dB, också vid 2 GHz.

På gång är också en extrem lågeffektvariant som bara drar 0,5 mA vid 1 V matning.

Den andra serien är tänkt för sändarändamål. De förstärker en signal på, typiskt, 2 mW till 0,5 W, vilket gör att det bara krävs två transistorer i en DECT-förstärkare i stället för tre, som tidigare varit fallet då man valt kisel. Totalt hävdar Philips att kostnaden i exemplet DECT-förstärkare minskar med hälften tack vare dessa transistorer.

Samtliga transistorer levereras i kapseln SOT343 för ytmontering.

Adam Edström

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)