Philips Semiconductor har introducerat en helt ny familj effektkretsar med oerhört låg inbyggd resistans. Därmed går det att byta ut stora hålmonterade effektkomponenter med kyldon mot mindre ytmonterade kretsar.
Philips flaggar just nu för en ny generation fälteffekttransistorer, kallade SiliconMax, sprungna ur företagets avancerade TrenchMOS-process. Under året ska femton familjemedlemmar släppas; alla med mycket låg inbyggd resistans, RDS(on). Tillsammans klarar de spannet mellan 25 och 200 V.
Den låga resistansen gör att transistorerna får betydligt högre switchfrekvens samt minskade effektförluster, jämfört med tidigare TrenchMOS-transistorer. Därmed kan de konkurrera med traditionella effekttransistorer i DMOS-teknik som idag har en dominerande ställning i exempelvis switchade kraftaggregat och DC/DC-omvandlare.
Om man jämför en 100 V SiliconMax med en typisk100 V DMOS-krets - båda kapslade i en TO220 - visar det sig att den förstnämnda har inbyggnadsresistansen 15 m?, medan den sistnämndas resistans ligger på 25 m?. Kapslar man samma SiliconMax- krets i den mindre ytmonterade kapseln, D-PAK, ökar resistansen till 25 m?.
Konsekvensen blir att man i framtida tillämpningar antingen kan välja att byta ut sina kretsar mot mindre kapselstorlekar eller låta en krets ersätta två äldre kretsar. Den senare lösningen kan vara ett alternativ då lastströmmen är hög och därmed måste delas mellan två parallellkopplade DMOS-kretsar.
Ytterligare en fördel hos den nya generationen effekttransistorer är att de har mycket låg gateskapacitans, endast 44 nC. Därmed blir laddningen på gaten extremt låg. Resultatet blir att transistorn kan switcha betydligt snabbare än traditionella effekttransistorer i DMOS samtidigt som switchförlusterna mer än halveras.