SGS-Thomson lanserade nyligen en CMOS-process för avancerade asicar i 0,20 μm. Den följs till hösten av en 0,15 μm-process, som dessutom kommer i en variant med ledningar av koppar i stället för aluminium.
SGS-Thomson och dess kompanjoner har gått igenom första fasen i utvecklingen av CMOS-processen HCMOS-8 vid företagets fabrik i Crolles. Processen, som har sex metallager, kommer att ge kretsar med effektiv kanallängd på 0,15 μm, vilket motsvarar 0,18 μm ritad kanallängd. De första prototyperna väntas bli klara under året.
Processen använder ett isolationsmaterial med lägre dielektricitetskonstant än kiseloxid mellan metalledarna. Detta minimerar ledarkapacitanserna, vilket gör att hastigheten kan öka och strömförbrukningen kan minska, samtidigt som överhörningen reduceras.
Trenden att använda koppar i halvledarkretsar i stället för aluminium har anammats även av SGS-Thomson. Parallellt med utvecklingen av HCMOS-8 tar man också fram en process kallad HCMOS8-F med just kopparledningar. Denna process är särskilt avsedd för tillämpningar där ledningsresistansen - som direkt påverkar hastigheten - är den kritiska faktorn. De första prototyperna i kopparprocessen ska tas fram till årsskiftet.
För den som inte vill vänta på HCMOS-8 erbjuder SGS-Thomson den nylanserade 0,20 μm-processen HCMOS-7. Den klarar att göra kretsar med tiotals miljoner transistorer och inbyggt minne. De första prototyperna håller på att tillverkas och volymproduktion tros dra igång framemot hösten.
Samtliga processer är tillkomna i samarbete med Philips Semiconductor och France Telecom CNET, ungefär Frankrikes motsvarighet till Telia Research. Utvecklingen har stötts av flera europeiska program, bland dem Medea och Gressi.