Mosys har halverat storleken på sin entransistors SRAM-lösning för inbyggnad i system på kisel. Nyheten kallas 1T-SRAM-Q, och ger minnen som tar upp fjärdedelen så mycket plats som konventionella inbyggda SRAM med sex transistorer. I 0,13 um-teknik kan 128 Mbit minne integreras med tekniken, vid 90 nm ökar möjligheterna till 256 Mbit.
Ytminskningen åstadkoms genom att vika en av kapacitanserna ner i ett etsat hål. Det kräver en extra mask och ett eller två extra processteg, vilket ökar kostnaden med cirka 5 procent. å andra sidan blir minnet 10-30 procent snabbare och drar 10-20 procent mindre effekt än föregångaren. Enligt Mosys blir tekniken lönsam då minnet tar upp mer än 10 procent av kretsytan.