JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Intel håller fast vid aluminium

Ledare av aluminium är billigare och ger mindre tidsfördröjning än ledare av koppar.

Det hävdade Simon Yang från Intel på den 44:e upplagan av komponentkonferensen IEDM, International Electron Devices Meeting.



Den amerikanska halvledarjätten Intel fortsätter med aluminium i förbindningsledningarna även i sin 0,18 μm-process som ska användas för volymtillverkning av Katmaiprocessorn nästa år. Processen är designad för en matningsspänning mellan 1,3 V och 1,5 V.

Fördröjningen i varje steg är mindre än 11 ps vid 1,5 V vilket är världsbäst enligt företaget som inte ser någon anledning att gå över till koppar. Intel hävdar istället att aluminium är lika bra och dessutom billigare än IBM:s omskrivna kopparprocess.

För att uppnå så korta fördröjningstider trots att man håller fast vid aluminium har Intel fått modifiera materialet som omger ledarna för att sänka dielektricitetskonstanten. Genom att tillsätta 5,5 procent fluor till kiseldioxiden sjunker dielektricitetskonstanten från 4,1 till 3,55.

Ett annat knep Intel tagit till är att man ändrat förhållandet mellan ledarnas tjocklek och bredd för att minska resistansen samtidigt som de måste vara "långa och magra" för att minska kopplingen mellan näraliggande ledare.

Företaget har tillverkat ett 16 Mbit SRAM i den nya processen. Kretsen innehåller mer än 100 miljoner transistorer och klockas med 900 MHz. En SRAM- cell består av sex transistorer upptar 5,9 kvadratmikrometer i den nya processen.

Processen har 21 masker varav knappt hälften kräver extremt noggrann litografi, så kallad deep-UV. Den fysiska längden på gaten är 130 nm för en NMOS-transistor och 150 nm för en PMOS-transistor.

Per Henricsson

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)