About / Advertise
Billiga och bra bilddetektorer baserade på infrarödteknik är affärsidén bakom det belgiska halvledarcentret Imecs senaste avknoppning.
Imec-avknoppade XenICs ska konstruera, utveckla och tillverka sensorer för bildvisning och spektroskopi. Enligt företagets chef Bob Greitens, är tillämpningspotentialen för infraröddetektorer mycket stor, om bara priset kan minskas drastiskt. Infrarödkameror från företaget ska kosta under 10 000 kronor i framtiden.
XenICs ska arbeta med två tekniker som utvecklats på Imec. En av dessa är baserad på indiumgalliumarsenid, InGaAs, eller indiumarsenidantimon, InAsSb, och ger detektorsystem för 1-5 µm-bandet, medan den andra, baserad på polykiselgermanium, polySiGe, ger sensorer som fungerar inom området 8-12 µm.
Existerande infraröddetektorer av liknande prestanda är baserade på kvicksilverkadmiumtellurid, HgCdTe, som är både miljöfarligt och svårt att tillverka. Dessutom kräver detektorer av detta slag kylning till 77°K för att fungera effektivt, varför dyr kylningsteknik med flytande kväve eller Sterlingpumpar måste utnyttjas. InGaAs fungerar däremot vid -25°C, medan InAsSb fungerar runt -70°C, temperaturer som kan åstadkommas med en vanlig värmepump av Peltiertyp.
För tillämpningar som inte ställer mycket höga krav på hastighet och upplösning, såsom bildsystem till bilar, kommer polySiGe-processen att användas. Denna utnyttjar bolometerteknik, i vilken motståndselement värms av infraröd strålning, ungefär som i en traditionell termisk bildvisare. Den klara fördelen med polySiGe-processen är att den är kompatibel med vanlig CMOS-process, vilket möjliggör användningen av vanliga kiselskivor, ger större utbyte och därmed minskar priset.
XenICs ska arbeta med två tekniker som utvecklats på Imec. En av dessa är baserad på indiumgalliumarsenid, InGaAs, eller indiumarsenidantimon, InAsSb, och ger detektorsystem för 1-5 µm-bandet, medan den andra, baserad på polykiselgermanium, polySiGe, ger sensorer som fungerar inom området 8-12 µm.
Existerande infraröddetektorer av liknande prestanda är baserade på kvicksilverkadmiumtellurid, HgCdTe, som är både miljöfarligt och svårt att tillverka. Dessutom kräver detektorer av detta slag kylning till 77°K för att fungera effektivt, varför dyr kylningsteknik med flytande kväve eller Sterlingpumpar måste utnyttjas. InGaAs fungerar däremot vid -25°C, medan InAsSb fungerar runt -70°C, temperaturer som kan åstadkommas med en vanlig värmepump av Peltiertyp.
För tillämpningar som inte ställer mycket höga krav på hastighet och upplösning, såsom bildsystem till bilar, kommer polySiGe-processen att användas. Denna utnyttjar bolometerteknik, i vilken motståndselement värms av infraröd strålning, ungefär som i en traditionell termisk bildvisare. Den klara fördelen med polySiGe-processen är att den är kompatibel med vanlig CMOS-process, vilket möjliggör användningen av vanliga kiselskivor, ger större utbyte och därmed minskar priset.
Gittan Cedervall
