About / Advertise
Galliumarsenid och indiumfosfid
Galliumarsenid är det mest etablerade av de alternativa materialen, och förekommer i dag i de flesta högfrekvenstillämpningar. Indiumfosfid har bättre högfrekvensegenskaper än något annat material i bruk, och spås ta över när radio- och optokommunikationen kryper upp i arbetsfrekvens.
Redan på 1960-talet kom de första komponenterna i galliumarsenid, och på 1970-talet var tekniken kommersiellt gångbar. I dag finns det fler än 10 fabriker som gör 6-tumssubstrat för galliumarsenid. För kretsar som tillverkas i mindre volym kan galliumarsenid till och med vara billigare än kisel.Galliumarsenid är det mest etablerade av de alternativa materialen, och förekommer i dag i de flesta högfrekvenstillämpningar. Indiumfosfid har bättre högfrekvensegenskaper än något annat material i bruk, och spås ta över när radio- och optokommunikationen kryper upp i arbetsfrekvens.
Indiumfosfid består egentligen av ett substrat av indiumfosfid på vilket man bygger galliumindiumarsenid eller aluminiumindiumarsenid. Indiumhalten ligger på drygt 50 procent, det är den som ger de högfrekventa egenskaperna.
Utvecklingen av indiumfosfid började på 80-talet och i slutet av 80 kom de första transistorerna i materialet. Substrat finns i dag i 2-4 tums storlek, men de är spröda och svårhanterliga. Det används kommersiellt i liten utsträckning. Teoretiskt sett är indiumfosfiden bättre än galliumarsenid på allt, men det innebär inte nödvändigtvis att den kommer att ersätta galliumarseniden.
- Mesfet-transistorer görs inte i indiumfosfid idag. De finns och fungerar i galliumarsenid, och då är det ingen vinst att utveckla dem för indiumfosfid, anser Herbert Zirath, professor på Chalmers.
Elias Nordling
