About / Advertise
Den koreanska halvledartillverkaren Hynix Semiconductor slår rekord i ferroelektriska minnen (FeRAM) med kretsar på hela 8 Mbit. Minnena, som även finns i storlekar om 4 Mbit, är avsedda för mobiltelefoner, smarta kort och handdatorer.
Företaget tror att FeRAM kommer att bli den vanligaste minnestypen i inbyggda produkter i framtiden. Redan år 2006 kommer marknaden för FeRAM att uppgå till 10 miljarder dollar enligt Hynix prognoser.Finessen med ferroelektriska minnen är att de är snabba plus att de behåller sitt innehåll när strömmen slås av. Minneskapaciteten har emellertid hittills varit modest på grund av den förhållandevis stora minnescellen, som bestått av två transistorer och två kapacitanser. Hemligheten bakom Hynix Megabit-kretsar sägs vara att företaget gått över till en minnescell med en transistor och en kapacitans. Sådana minnen utvecklas även av exempelvis Samsung och Ramtron.
Hynix nya minnen finns i provexemplar tillverkade i en 0,25 μm process. De 3,0 V-matade kretsarna ger åtkomsttider på 70 ns och ska klara 100 miljarder läs-skriv-cykler.
Hynix har utnyttjat nya ferroelektriska material, vilket sägs förbättra minnenas tillförlitlighet. Företaget planerar nu att utveckla och massproducera 64 Mbit-minnen.
Hynix har sökt fler än 150 amerikanska patent på sin FeRAM-teknik. Förutom Hynix är ett tiotal företag verksamma inom ferroelektriska minnen.
Charlotta von Schultz
