Lasrarna som man tagit fram kan moduleras vid 2,5 respektive 10 Gbit/s. Vid 2,5 Gbit/s fungerar de ända upp till 110°C, medan de vid 10 Gbit/s klarar 85°C. I båda fall har en konstant modulationsamplitud kunnat användas. Enbart drivströmmen har justerats för att hålla den optiska medeleffekten konstant när temperaturen varierar. Alternativa lasrar måste justera både ström och amplitud.
– Vi har faktiskt även kunnat visa att det går att modulera med 2,5 Gbit/s upp till 85°C då både modulationsamplitud och drivström är konstant, säger Anders Larsson.
Chalmers lasrar grundar sig på en relativ ny materialsammansättning: en blandning av gallium, indium, kväve och arsenik, GaInNAs, som tillverkas på GaAs-substrat.
Materialet framställs genom att man byter ut en liten del, cirka 2 procent, av ämnet arsenik i en halvledare mot kväve. Det gör att bandgapet minskar så pass mycket att man kan tillverka GaAS-baserade lasrar som emitterar vid 1,3 µm, som är den vanligaste våglängden i fiberoptiska accessnät. Traditionella laserdioder för fiberoptiska accessnät är tillverkade i indium-fosfor-baserade halvledarmaterial.
– Våra lasrar har så bra egenskaper att de är direkt intressanta för kommersiella tillämpningar. Innan dess måste man dock förvissa sig om att de är tillräckligt tillförlitliga och långtidsstabila.
– Materialet som vi använder har bara några år på nacken, men det finns ett företag i USA som använder det i en annan typ av laser, säger Anders Larsson.
Lasern har utvecklats inom ramen för ett projekt med stöd från Stiftelsen för Strategisk Forskning samt EU-projektet Fast Access. Båda projekten har cirka 1,5 år kvar innan de tar slut.
– Under den tiden ska vi göra tillförlitlighetstudier samtidig som vi har idéer på förbättringar som kan göras.