About / Advertise
Intel säger sig vara först i världen med att volymproducera flernivåsflash i NOR-teknik på 65 nm. Minnet rymmer 1 Gbit, vilket i sig också är ett rekord för NOR-minnen.
– Ja, vi är först med att kunna erbjuda NOR i 65 nm i MLC-teknik som rymmer 1 Gbit och kommer i volym, säger Maria Duvaldt, marknadsansvarig i Intel Swedens Sony Ericsson-team.Minnet är baserat på Intels arkitektur Strataflash Cellular, också kallad M18. Det har även samma gränssnitt, vilket gör det enkelt att gå från 90 nm till 65 nm.
- Sony Ericsson säger att det är intressant och gör att företaget snabbare kan nå ut med sin nästa generation mobiltelefoner säger Maria Duvaldt.
Det är ingen hemlighet att Sony Ericsson kommer att använda det nya minnet. Exakt när den första mobilen från Sony Ericsson kommer är inte officiellt ännu, men telefoner med minnet ombord kommer tidigt nästa år.
Det nya minnet är tänkt för multimediatelefoner som har inbyggda megapixelkameror, högkvalitativ video (mpeg 4) och webbsurfning över 3G i åtanke. Minnet skriver med 1Mbit/s vilket är dubbelt så snabbt som tidigare Intelminnen och läser med 133 MHz.
Under nästa år släpper Intel ytterligare NOR-minnen i 65 nm. Då kommer minnen med lägre densitet som 512, 256 och 128 Mbit. Minnena i M18-arkitekturen utvecklas i samarbete med ST Microelectronics och går att köpa från båda företagen.
