Nu säger sig dock AMD ha lyckats, med stöd av forskare från samarbetspartnern IBM. I fabriken i Dresden har företagen för första gången använt EUV över ytan på en hel krets, 22 x 33 mm stor, rapporterar nätupplagan av EE Times.
Testkretsarna gick först genom AMDs normala 45 nm-produktion i Dresden, och skickades därefter till IBMs forskningsanläggning i Albany. Där finns en tidig version av ett EUV-verktyg från holländska ASML. Detta användes för att lägga på det första metallagret i kretsen, som förbinder transistorerna.
Kretsarna skickades därefter tillbaka till AMD som testade dem, och konstaterade att deras elektriska egenskaper var snudd på identiska med de som producerats på gängse vis, med vanlig 193 nm immersionslitografi.
Nu ska kretsarna förses med fler metallager, på konventionellt vis, för att verifiera att det går att bygga stora minnen ovanpå EUV-lagret. Därefter ska företagen prova att använda EUV-teknik för alla metallager i kretsen, inte bara det första.
År 2016 ska halvledarutvecklingen ha nått så långt att geometrierna kommit ner till 22 nm, enligt branschens gemensamma framtidsplan. Till det krävs EUV-teknik, så före dess måste den ha blivit fullt kvalificerad för produktion om målet ska hållas.
Det finns gott om tvivlare som hävdar att EUV-tekniken är så svårhanterlig att den aldrig kommer att kunna användas i verklig produktion. Tvivlarnas främsta argument är att EUV-fotoner har nära 15 gånger så hög energi än fotoner vid 193 nm (92 eV jämfört med 6,4 eV), vilket gör att EUV-strålningen absorberas av all materia och produktionen således måste ske i vakuum.