About / Advertise
Viktigt steg mot nanotransistorer
Forskare vid IBM och två amerikanska unversitet har utvecklat metoder för att skapa nanotrådar med skarpa gränser mellan olika material. Den kompetensen är nödvändig för att kunna skapa effektiva transistorer av nanostrukturerna.Metoden forskarna visar går ut på att först hetta upp minimala partiklar av guldaluminiumlegering i en vakuumkammare, och därpå föra in kisel i gasform i kammaren. De smälta guldaluminiumpärlorna absorberar då kislet, och blir övermättat med kisel, vilket gör att kislet fälls ut och skapar nanotrådar. Varje sådan nanotråd förses med en topp av guldaluminium, vilket gör att de får en svampliknande form.
Därpå sänks temperaturen i vakuumkammaren så att guldaluminiumhuvudet stelnar. Då går det att deponera germanium på kislet i precisa mängder, vilket skapar en heterostruktur av kisel och germanium. Denna struktur blir en transistorgrind, som kan fås att switcha till och från.
Forskarna räknar med att nanoelektronik kommer att komma till användning inom 5–10 år, då dagens halvledarteknik nått vägs ände.
Resultatet är publicerat i senaste utgåvan av Science: Formation of Compositionally Abrupt Axial Heterojunctions in Si/Ge Nanowires, C.-Y. Wen et al.
