About / Advertise
Ett fasväxlande minne tillverkat i 45 nm som lagrar 1 Gigabit är vad Numonyx planerar att lansera under första kvartalet nästa år. Därmed återtar Numonyx ledartröjan inom det fasväxlande minnesracet.
Under årets upplaga av konferensen International Electron Device Meeting som just nu pågår i amerikanska Baltimore avslöjar Numonyx att företaget kommer att släppa prover av fasväxlande minnen tillverkade i 45 nm redan i början på nästa år. Idag har Numonyx fasväxlande minnen (phase-change memory, PCM) i 90 nm som rymmer 128 Mbit framme till försäljning, men det krävs klart finare processgeometrier för en bredare marknadsintroduktion.
– Kretsen som vi nu presenterar är fullt specificerad. Den är tänkt att gå i produktion under 2010, med de första proverna under första kvartalet, säger Paolo Cappelletti, utvecklingsansvarig på Numonyx till sajten EE Times.
I och med denna lansering kan Numonyx mycket väl återta ledningen i racet mot allt större PCM-minnen i allt finare processer. Företaget säger sig ha varit först med en kommersiell lansering av minnestekniken redan år 2008. Det handlar om ett 128 Mbit minne i 90 nm.
För tre månader sedan tog dock Samsung kommandot genom att släppa ett minne om 512 Mbit tillverkat i 60 nm.
Den fasväxlande minnesprincipen bygger på att materialen som används, kallade kalkogener kan växla mellan kristallina och amorfa strukturer när en elektrisk ström får värma upp materialen. Kristallina strukturen har låg resistans och amorfa strukturer har hög resistans. Informationen lagras genom att man noterar fasväxlingarna som tolkas som ”0” eller ”1” och processen kan upprepas mer än en miljon gånger, hävdar minnestillverkarna.
Fasväxlande minnen är icke-flyktiga och tänkta att ersätta dagens flashminne och DRAM i olika tillämpningar. PCM-minnen skriver och läser mycket snabbt och har lägre effektförbrukning än dagens NOR och NAND, vilka dessutom kommer att får stora problem när processgeometrierna krymper ytterligare.
Numonyx är samägt av Intel och ST Microelectronics.
