JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Bättre minne med molybdenit och grafen

Bättre minne med molybdenit och grafen

Forskare vid schweiziska Ecole Polytechnique Federale de Lausanne – EPLF – har utvecklat en flashminnesprototyp som kan komma att bana väg för små, energisnål men ändå högpresterande minnesceller. Nyckeln är en kombination av molybdenit och grafen.
För två år sedan visade forskarlaget vi EPLF att mineralet molybdenit, MoS2, kan användas för att göra transistorer som är betydligt mindre och strömsnålare än motsvarigheter i kisel och grafen. Därefter har forskarna lyckats skapa ett chip i materialet (länk).

Nu går forskarna längre. Genom att kombinera molybdenit med det nobelprisbelönade materialet grafen har de skapat icke-flyktiga minnesceller, liknande flashminnen som idag används i USB:er, digitalkameror och mobiler.

Både molybdenit och grafen är ett tvådimensionellt material. De är alltså enbart uppbyggda av ett atomlager, vilket ger dem mycket god mekanisk flexibilitet samtidigt som de kan göras extremt tunna.

Grafen är en bättre ledare än  molybdenit, men materialet har inte något bandgap i rent tillstånd. Molybdenit med sitt bandgap på 1,8 elektronvolt anses däremor vara idealiskt för
elektronikändamål. Materialet switchar lätt och energisnålt mellan ”on” och ”off”, hävdar forskarna.

Prototypen som konstruerats har en fälteffekt-geometri, som en sandwich. I mitten finns ett tunt lager molybdeni omslutet av grafen på båda sidor.

Forskningsresultatet har nyligen publicerats i tidskriften ACS Nano (länk).

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Rainer Raitasuo

Rainer
Raitasuo

+46(0)734-171099 rainer@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)