About / Advertise
I samband med Flash Memory Summit 2016, som gick av stapeln i kaliforniska Santa Clara i förra veckan, har nyheter om ännu högre lagringskapacitet duggat tätt. Världens största NAND-tillverkare, Samsung, flaggar för att chip som lagrar en terabit snart är redo för marknaden.
Under förra veckan avslöjade amerikanska Micron att företaget är redo att leverera sina första 3D NAND anpassade för mobiler. De har 40 procent högre lagringskapacitet än dagens kretsar och är dessutom baserade på den nya standarden UFS2.1 (Universal Flash Storage), som ännu inte finns i smartmobiler (länk).
Likaså påstod sig Toshiba kunna erbjuda prover av världens första 3D NAND-flash byggt i 64 lager. Planen är att massproduktionen ska dra i gång i den nya fabriken Fab2 i japanska Yokkaichi under första halvan av 2017 (länk).
Samtidigt har Samsung inte en tanke på att låta Toshiba vara först. Istället slår den koreanska minnestillverkaren på trumman för sin fjärde generation 3D NAND, med just 64 lager. Det nya minnet ska börja att masstillverkas redan i slutet på detta år, enligt Samsung.
Samsung formligen eldar på utvecklingen av vertikala 3D NAND. För tre år sedan rullade företaget ut sitt första minne staplat i 24 lager. I fjol kom det första med 32 lager och nu är det alltså dags för 64 lager.
– Jag tror att ett NAND-flash som lagrar en terabit snart kommer att nå marknaden. Det betyder att chiptillverkare kan stapla hundra lager inuti ett chip, sade Kim Ki-nam, chef för Samsungs chipverksamhet, under konferensen i förra veckan.
Samsung är världens största tillverkare av NAND-chip. Under årets första kvartal hade företaget nära 43 procent av NAND-marknaden. Närmaste konkurrenten Toshiba hade 28 procent, medan Micron stod för knappa 19 procent.
